RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
2583
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link