RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
38
Около -12% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
9.6
Скорость записи, Гб/сек
8.3
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
1839
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link