RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
55
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
55
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
9.3
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
2078
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link