RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
76
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
76
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
1718
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link