RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сравнить
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2207
2809
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link