RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сравнить
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2277
2974
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-492.A00LF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link