RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Kingston 9905702-010.A00G 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2792
3318
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link