RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Kingston 9905702-010.A00G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
11.1
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2792
3017
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link