RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Kingston 9905702-010.A00G 8GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2792
3045
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link