RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Kingston 9905702-010.A00G 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
30
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
11.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.4
Скорость записи, Гб/сек
11.1
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2792
3814
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link