RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сравнить
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
6.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
6.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
6.7
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1632
2689
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link