RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.7
6.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
6.4
11.7
Скорость записи, Гб/сек
6.7
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1632
1997
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link