RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
6.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
6.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
6.7
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1632
3004
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link