RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Сравнить
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2342
2628
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link