RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
47
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
8.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
37
Скорость чтения, Гб/сек
8.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1769
2808
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB Сравнения RAM
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link