Kingston 9965516-112.A00LF 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Причины выбрать
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.1 9.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.7 9.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 33
Скорость чтения, Гб/сек

9.1 18.1
Скорость записи, Гб/сек

9.9 14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2279 3596

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

модули RAM