RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
3726
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link