Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 29

Около 7% меньшая задержка

Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

20.3 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.9 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 29
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 20.3
Скорость записи, Гб/сек

8.6 17.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2196 3983

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

модули RAM

Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston 9965604-008.C00G 8GB

Kingston 9965604-008.C00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

модули RAM