RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Сравнить
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
3000
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link