Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 27

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.9 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 26
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 17.9
Скорость записи, Гб/сек

8.6 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2196 3486

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB

Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB

модули RAM

Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Kingston 9965662-012.A01G 16GB

Kingston 9965662-012.A01G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Kingston 9965604-008.C00G 8GB

Kingston 9965604-008.C00G 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

модули RAM

Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB

Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Team Group Inc. 16GB

Team Group Inc. 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

модули RAM