RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
2690
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link