RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Сравнить
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Средняя оценка
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
2549
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link