RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Сравнить
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
2774
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link