RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Сравнить
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Teclast TLD416G26A30 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Средняя оценка
Teclast TLD416G26A30 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Teclast TLD416G26A30 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
2719
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link