RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
3372
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link