RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
6.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
6.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1927
2545
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Сравнения RAM
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link