Kingston 9965525-140.A00LF 8GB против Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Средняя оценка

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Причины выбрать
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 65

Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.8 8.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.4 5.8

Среднее значение в тестах

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Причины выбрать
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 65
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 8.5
Скорость записи, Гб/сек

6.4 5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1927 1981

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 9905703-009.A00G 16GB

Kingston 9905703-009.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB

Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB

модули RAM