RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Сравнить
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
70
Около -119% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
6.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
4.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
32
Скорость чтения, Гб/сек
6.5
15.3
Скорость записи, Гб/сек
4.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1264
2677
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link