Kingston 9965525-155.A00LF 8GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Причины выбрать
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 69

Около -146% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.3 6.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 3.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 28
Скорость чтения, Гб/сек

6.4 17.3
Скорость записи, Гб/сек

3.7 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1129 3209

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology C 8GB

Crucial Technology C 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Kingston 99U5663-001.A00G 16GB

Kingston 99U5663-001.A00G 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

модули RAM