RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
69
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
6.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
3.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
29
Скорость чтения, Гб/сек
6.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
3.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1129
3291
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link