RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
74
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
6.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
3.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
74
Скорость чтения, Гб/сек
6.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
3.7
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1129
1616
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link