RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Сравнить
Kingston 9965662-016.A00G 16GB против Kingston 9965596-023.B01G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.2
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
38
Скорость чтения, Гб/сек
7.9
8.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
1824
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link