RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сравнить
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2388
3257
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link