RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.7
11.1
Скорость записи, Гб/сек
9.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2388
2319
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link