RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
86
Около 71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
86
Скорость чтения, Гб/сек
15.7
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2388
1658
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link