Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.4 12.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 37

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.9 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 28
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 12.6
Скорость записи, Гб/сек

8.4 9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2294 2490

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400

модули RAM