RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Сравнить
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB против Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Средняя оценка
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
40
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
40
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
13.7
Скорость записи, Гб/сек
8.3
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2320
2362
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link