RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
47
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.2
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2128
3233
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link