RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
71
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.2
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2128
1650
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link