Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Средняя оценка

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 72

Около -200% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 4.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.6 2.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

72 24
Скорость чтения, Гб/сек

4.9 17.4
Скорость записи, Гб/сек

2.9 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

776 3049

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM