Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB против Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB

Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB

Средняя оценка

Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB

Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB

Причины выбрать
Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB

Сообщить об ошибке

Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB

Причины выбрать
Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

58 73

Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,130.0 1,414.8

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB

Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

73 58
Скорость чтения, Гб/сек

2,654.8 4,276.1
Скорость записи, Гб/сек

1,414.8 2,130.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 6400

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

399 638

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

модули RAM