Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 30

Около 10% меньшая задержка

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.5 13.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.7 9.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 30
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 16.5
Скорость записи, Гб/сек

9.1 12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2324 3058

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB

Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston X75V1H-MIE 32GB

Kingston X75V1H-MIE 32GB

модули RAM

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

модули RAM