RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сравнить
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.1
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2324
2897
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link