RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сравнить
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
47
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
47
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
10.0
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2095
2308
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link