Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 41

Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.1 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.6 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 29
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 13.1
Скорость записи, Гб/сек

7.5 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2039 2797

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston ASU16D3LU1KBG/8G 8GB

Kingston ASU16D3LU1KBG/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

модули RAM