RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сравнить
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.9
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2118
3546
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link