RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
74
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
74
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2118
1616
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link