RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2201
3693
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-011.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link