Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 25

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.2 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.1 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 23
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 17.2
Скорость записи, Гб/сек

7.8 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1995 3116

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

A-DATA Technology DDR4 2800 8GB

A-DATA Technology DDR4 2800 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

модули RAM