RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
2545
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link